1． 美商國家半導(dǎo)體（蘇州）有限公司工程，占地面積為145966.8M2，一期建筑面積為52645.4M2，其中主廠房49021 .9M2。動(dòng)力設(shè)備房3024 M2，泵房水池576 M2，守衛(wèi)室23.5M2。
2． 本工程采用框架結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)類型為丙類建筑，抗震設(shè)防烈度為6級(jí)，建筑抗震設(shè)防等級(jí)為四級(jí)，建筑結(jié)構(gòu)安全等級(jí)為二級(jí)。
3． 本工程室內(nèi)地面標(biāo)高±0.000相當(dāng)于絕對(duì)標(biāo)高3.500M，室內(nèi)外高差350mm。主廠房生產(chǎn)區(qū)首層層高4.500M，1A層層高為4.600M（4.000M），二層層高為4.500M（5.100M），2A層層高為4.000M～5.080M，屋面1層高為4.000M～2.920M，屋面2標(biāo)高為21.600M。辦公區(qū)首層層高為4.500M，1A層層高為4.600M，二層層高為4.500M，屋面、局部屋面層高為4.500M，局部屋面標(biāo)高為18.100M。動(dòng)力設(shè)備房層高為9.200M～9.740M。
